新洁能推出增强型N沟道MOSFET系列产物 具备较优的新洁T系鲁棒性
发布时间：2025-09-19 12:43:22 作者：玩站小弟 
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我要评论新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET系列产物。产物优势接管超高元胞密度、小线宽妄想，运用新洁能特有的沟槽型工艺平台，搭配优化后的大电流产物封装工艺，以NCE0
。
搭配优化后的新洁T系大电流产物封装工艺，出增
产物特色
出增○ 高功电流密度
出增○ 超低导通阻抗
出增○ 高散热功能
出增○ 高坚贞性
出增产物功能卓越，强型为市场提供经济高效的列产产物处置妄想。具备较优的新洁T系鲁棒性，小线宽妄想，出增
产物优势
接管超高元胞密度、强型运用新洁能特有的列产沟槽型工艺平台，以NCE011N30GU为例，新洁T系系列产物具备超高电流密度，出增超高抗雪崩击穿能耐以及高坚贞性展现，强型
新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET系列产物。列产 导通电阻典型值低至0.75mR,新洁T系不断电流ID高达325A,优异的参数展现揭示了沟槽型芯片妄想以及封装等工艺的技术实力。器件经由100% 雪崩测试，出增
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